Kiel ni ĉiuj scias, vakua vaporiĝo kaj jona ŝprucado estas ofte uzataj en vakua tegaĵo.Kio estas la diferenco inter vaporiĝa tegaĵo kaj ŝprucanta tegaĵo?Poste, la teknikaj fakuloj de RSM dividos kun ni.
Vakua vaporiĝa tegaĵo estas varmigi la vaporitan materialon al certa temperaturo per rezista hejtado aŭ elektrona fasko kaj lasera bombado en medio kun malplena grado de ne malpli ol 10-2Pa, tiel ke la termika vibra energio de molekuloj aŭ atomoj en la materialo superas la ligan energion de la surfaco, tiel ke granda nombro da molekuloj aŭ atomoj vaporiĝas aŭ sublimas, kaj rekte precipitas sur la substrato por formi filmon.Jona ŝprucaĵtegaĵo uzas la altrapidan movadon de pozitivaj jonoj generitaj per gaselŝargiĝo sub la ago de elektra kampo por bombadi la celon kiel la katodo, tiel ke atomoj aŭ molekuloj en la celo eskapas kaj precipitas al la surfaco de la tegita laborpeco por formi. la bezonata filmo.
La plej ofte uzata metodo de vakua vaporiĝa tegaĵo estas rezista hejtado, kiu havas la avantaĝojn de simpla strukturo, malalta kosto kaj oportuna operacio;La malavantaĝo estas, ke ĝi ne taŭgas por obstinaj metaloj kaj alttemperaturaj dielektraj materialoj.Elektronradia hejtado kaj lasera hejtado povas venki la mankojn de rezista hejtado.En elektronradia hejtado, la fokusita elektrona fasko estas uzata por rekte varmigi la bombarditan materialon, kaj la kineta energio de la elektrona fasko fariĝas varmenergio, kiu igas la materialon vaporiĝi.Laser-hejtado uzas alt-potencan laseron kiel la hejtfonton, sed pro la alta kosto de alt-potenca lasero, ĝi povas esti uzata nuntempe nur en kelkaj esploraj laboratorioj.
Sputtering teknologio diferencas de vakua vaporiĝa teknologio."Sputtering" rilatas al la fenomeno, ke ŝarĝitaj partikloj bombardas la solidan surfacon (celon) kaj igas solidajn atomojn aŭ molekulojn pafi eksteren de la surfaco.La plej multaj el la elsenditaj partikloj estas en atoma stato, kiu estas ofte nomata ŝprucitaj atomoj.La ŝprucitaj partikloj uzitaj por bombadi la celon povas esti elektronoj, jonoj aŭ neŭtralaj partikloj.Ĉar jonoj estas facile akceblaj sub la elektra kampo por akiri la postulatan kinetan energion, la plej granda parto de ili uzas jonojn kiel bombarditajn partiklojn.Sputtering-procezo baziĝas sur brila malŝarĝo, tio estas, ŝprucantaj jonoj venas de gasa malŝarĝo.Malsamaj ŝpructeknologioj adoptas malsamajn brilajn malŝarĝajn reĝimojn.DC diodo sputtering uzas DC brilan malŝarĝon;Trioda ŝprucado estas brila senŝargiĝo subtenata de varma katodo;RF sputtering uzas RF-brilan malŝarĝon;Magnetrona ŝprucado estas brila senŝargiĝo kontrolita per ringoforma kampo.
Kompare kun vakua vaporiĝa tegaĵo, ŝprucanta tegaĵo havas multajn avantaĝojn.Ekzemple, ajna substanco povas esti ŝprucita, precipe elementoj kaj kunmetaĵoj kun alta frostopunkto kaj malalta vaporpremo;La adhero inter ŝprucita filmo kaj substrato estas bona;Alta filma denseco;La filmo dikeco povas esti kontrolita kaj la ripeteblo estas bona.La malavantaĝo estas, ke la ekipaĵo estas kompleksa kaj postulas alttensiajn aparatojn.
Krome, la kombinaĵo de vaporiĝa metodo kaj ŝprucmetodo estas jona tegado.La avantaĝoj de ĉi tiu metodo estas, ke la akirita filmo havas fortan aliĝon al la substrato, altan deponan indicon kaj altan filmdensecon.
Afiŝtempo: Jul-20-2022