Kiel ni ĉiuj scias, la evolua tendenco de cela materiala teknologio estas proksime rilata al la evolua tendenco de filma teknologio en la kontraŭflua aplika industrio.Kun la teknologia plibonigo de filmproduktoj aŭ komponantoj en la aplika industrio, la cela teknologio ankaŭ devus ŝanĝiĝi.Ekzemple, Ic-fabrikistoj lastatempe koncentriĝis pri la disvolviĝo de malalta resistiveca kupra drataro, kiu estas atendita signife anstataŭigi la originalan aluminian filmon en la venontaj kelkaj jaroj, do la disvolviĝo de kupraj celoj kaj iliaj bezonataj baraj celoj estos urĝa.
Krome, en la lastaj jaroj, plata panela ekrano (FPD) plejparte anstataŭigis la katodradan tubon (CRT) bazitan komputilan ekranon kaj televidmerkaton.Ĝi ankaŭ multe pliigos la teknikan kaj merkatan postulon je ITO-celoj.Kaj poste estas la konserva teknologio.La postulo pri alt-densecaj, grandkapacaj malmolaj diskoj kaj alt-densecaj forviŝeblaj diskoj daŭre pliiĝas.Ĉio ĉi kaŭzis ŝanĝojn en la postulo je celmaterialoj en la aplika industrio.En la sekvanta, ni enkondukos la ĉefajn aplikajn kampojn de celo kaj la evolutendencon de celo en ĉi tiuj kampoj.
1. Mikroelektroniko
En ĉiuj aplikaj industrioj, la semikonduktaĵa industrio havas la plej rigorajn kvalitajn postulojn por celaj ŝprucantaj filmoj.Silicioblatoj de 12 coloj (300 epistakso) nun estis produktitaj.La larĝo de la interkonekto malpliiĝas.La postuloj de fabrikantoj de siliciaj oblatoj por celmaterialoj estas grandskalaj, alta pureco, malalta apartigo kaj fajna greno, kio postulas, ke la celmaterialoj havu pli bonan mikrostrukturon.La kristala partiklodiametro kaj unuformeco de la celmaterialo estis konsiderataj kiel la ŝlosilaj faktoroj influantaj la filman deponan indicon.
Kompare kun aluminio, kupro havas pli altan elektromoveblan reziston kaj pli malaltan resistivecon, kiu povas renkonti la postulojn de konduktila teknologio en la submikrona drataro sub 0.25um, sed ĝi alportas aliajn problemojn: malaltan adheroforton inter kupro kaj organikaj mezaj materialoj.Plie, estas facile reagi, kio kondukas al la korodo de la kupra interkonekto kaj la cirkvito-rompiĝo dum la uzo de la blato.Por solvi ĉi tiun problemon, bariera tavolo devas esti starigita inter la kupro kaj la dielektrika tavolo.
La celmaterialoj uzataj en la bariera tavolo de kupra interkonekto inkluzivas Ta, W, TaSi, WSi, ktp. Sed Ta kaj W estas obstinaj metaloj.Ĝi estas relative malfacile fari, kaj alojoj kiel ekzemple molibdeno kaj kromo estas studitaj kiel alternativaj materialoj.
2. Por la ekrano
Ebena ekrano (FPD) multe influis la katodradan tubon (CRT) bazitan sur komputila ekrano kaj televidmerkato tra la jaroj, kaj ankaŭ kondukos la teknologion kaj merkatan postulon je ITO-celaj materialoj.Ekzistas du specoj de ITO-celoj hodiaŭ.Unu estas uzi nanometran staton de india oksido kaj stana oksida pulvoro post sinterizado, la alia estas uzi india stana aloja celo.ITO-filmo povas esti fabrikita per DC reaktiva sputterado sur india-stana aloja celo, sed la cela surfaco oksidiĝos kaj influos la sputtering-rapidecon, kaj estas malfacile akiri grandgrandan alojan celon.
Nuntempe, la unua metodo estas ĝenerale adoptita por produkti ITO-celan materialon, kiu estas ŝprucigita tegaĵo per magnetrona ŝpruc-reakcio.Ĝi havas rapidan deponan indicon.La dikeco de la filmo povas esti precize kontrolita, la kondukteco estas alta, la konsistenco de la filmo estas bona, kaj la adhero de la substrato estas forta.Sed la celmaterialo malfacilas fari, ĉar india oksido kaj stana oksido ne facile sinteriĝas kune.Ĝenerale, ZrO2, Bi2O3 kaj CeO estas elektitaj kiel sinteraj aldonaĵoj, kaj la cela materialo kun denseco de 93% ~ 98% de la teoria valoro povas esti akirita.La agado de ITO-filmo tiel formita havas bonegan rilaton kun la aldonaĵoj.
La bloka resistiveco de ITO-filmo akirita uzante tian celmaterialon atingas 8.1 × 10n-cm, kiu estas proksima al la resistiveco de pura ITO-filmo.La grandeco de FPD kaj kondukta vitro estas sufiĉe granda, kaj la larĝo de kondukta vitro eĉ povas atingi 3133mm.Por plibonigi la utiligon de celmaterialoj, ITO-celmaterialoj kun malsamaj formoj, kiel cilindra formo, estas evoluigitaj.En 2000, la Nacia Disvolva Planado-Komisiono kaj la Ministerio pri Scienco kaj Teknologio inkludis grandajn celojn de ITO en la Gvidlinioj por Ŝlosilaj Areoj de Informa Industrio Nuntempe Priorita por Evoluo.
3. Stoka uzo
Koncerne al konserva teknologio, la disvolviĝo de malmolaj diskoj de alta denseco kaj granda kapacito postulas grandan nombron da gigantaj kontraŭvolemaj filmmaterialoj.La CoF~Cu plurtavola kunmetita filmo estas vaste uzata strukturo de giganta kontraŭvolema filmo.La aloja celmaterialo TbFeCo bezonata por magneta disko estas ankoraŭ en plua evoluo.La magneta disko fabrikita kun TbFeCo havas la karakterizaĵojn de granda stoka kapacito, longa funkcidaŭro kaj ripeta ne-kontakta forviŝebleco.
Antimono germanio telluride bazita fazŝanĝa memoro (PCM) montris gravan komercan potencialon, fariĝas parto NOR fulmmemoro kaj DRAM-merkato alternativa stokadoteknologio, tamen, en la efektivigo pli rapide malgrandigita unu el la defioj survoje ekzisti estas manko por restarigi la nuna produktado povas esti malaltigita plu tute sigelita unuo.Redukti rekomencigitan kurenton reduktas memoran elektrokonsumon, plilongigas baterian vivon kaj plibonigas datuman bendolarĝon, ĉiujn gravajn funkciojn en la nuntempaj datumcentraj, tre porteblaj konsumaparatoj.
Afiŝtempo: Aŭg-09-2022